Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 250mW |
Ucb,max | 25V |
Uce,max | 25V |
Ueb,max | 35V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 7MHz |
Cctip,pF | 10 |
Hfe | 35/150 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | 2N4285 |
Изготовитель |
nscБиполярные транзисторы nscIGBT транзисторы nscFET транзисторы nsc |
Назначение | Low Power, General Purpose |
u29-1 | Распиновка |
---|---|