Биполярный транзистор - 2N1119
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 150mW |
| Ucb,max | 10V |
| Uce,max | 10V |
| Ueb,max | 10V |
| Ic,max | 50mA |
| Ft,max | 20MHz |
| Cctip,pF | 12 |
| Hfe | 18MIN |
| Tj,max | 140ºC |
| Аналоги | BFX29 2N2905A |
| Изготовитель |
csrБиполярные транзисторы csrIGBT транзисторы csrFET транзисторы csr |
| Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
| to5 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |