Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 11W |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | 80V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 5A |
Ft,max | 80MHz |
Cctip,pF | 100 |
Hfe | 50/150 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BSS45 2N4895 2N5337 |
Изготовитель |
trwБиполярные транзисторы trwIGBT транзисторы trwFET транзисторы trw |
Назначение | High Power, High Voltage, High Frequency |
to3 | Распиновка |
---|---|