Биполярный транзистор - 2N1126
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 1W |
| Ucb,max | 40V |
| Uce,max | 35V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 150mA |
| Ft,max | 400KHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 10MIN |
| Tj,max | 85ºC |
| Аналоги | ACY17 2N1176 |
| Изготовитель |
phoБиполярные транзисторы phoIGBT транзисторы phoFET транзисторы pho |
| Назначение | Medium Power, General Purpose |
| to31 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |