Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | 12 |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BFY5O 2N2297 |
Изготовитель |
nwmБиполярные транзисторы nwmIGBT транзисторы nwmFET транзисторы nwm |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to5 | Распиновка |
---|---|