Биполярный транзистор - NKT656
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 65mW |
| Ucb,max | 20V |
| Uce,max | 12V |
| Ueb,max | 1V |
| Ic,max | 10mA |
| Ft,max | 40MHz |
| Cctip,pF | 3 |
| Hfe | 60MIN |
| Tj,max | 75ºC |
| Аналоги | AF124 2N990 |
| Изготовитель |
nwmБиполярные транзисторы nwmIGBT транзисторы nwmFET транзисторы nwm |
| Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
| to72 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |