Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 80mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 12V |
Ueb,max | 1V |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 40MHz |
Cctip,pF | 3 |
Hfe | 60MIN |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AF124 2N990 |
Изготовитель |
nwmБиполярные транзисторы nwmIGBT транзисторы nwmFET транзисторы nwm |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to7 | Распиновка |
---|---|