Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | npn |
Pc,max | 650mW |
Ucb,max | 32V |
Uce,max | 32V |
Ueb,max | |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 2.3MHz |
Cctip,pF | |
Hfe | 63MIN |
Tj,max | 100ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
nteБиполярные транзисторы nteIGBT транзисторы nteFET транзисторы nte |
Назначение |
to5 | Распиновка |
---|---|