Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 900mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 19V |
Ueb,max | |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 1.1GHz |
Cctip,pF | |
Hfe | 39MIN |
Tj,max | - |
Аналоги | |
Изготовитель |
nteБиполярные транзисторы nteIGBT транзисторы nteFET транзисторы nte |
Назначение |
n/a | Распиновка |
---|---|