Биполярный транзистор - PMD11K100
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 150W |
| Ucb,max | 100V |
| Uce,max | 100V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 12A |
| Ft,max | |
| Cctip,pF | |
| Hfe | 800MIN |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
lambdaБиполярные транзисторы lambdaIGBT транзисторы lambdaFET транзисторы lambda |
| Назначение | Darlington, Power |
| to3 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |