Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 100W |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 8A |
Ft,max | |
Cctip,pF | |
Hfe | 10000T |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
lambdaБиполярные транзисторы lambdaIGBT транзисторы lambdaFET транзисторы lambda |
Назначение | Darlington, Power |
to3 | Распиновка |
---|---|