Биполярный транзистор - 2N1132B
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 600mW |
| Ucb,max | 50V |
| Uce,max | 35V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 600mA |
| Ft,max | 60MHz |
| Cctip,pF | 50 |
| Hfe | 30/90 |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | BFX29 2N2905A |
| Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
| Назначение | Medium Power, General Purpose |
| to5 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |