Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 300W |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 70A |
Ft,max | 100KHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 10MIN |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | 2N6309 |
Изготовитель |
siemensБиполярные транзисторы siemensIGBT транзисторы siemensFET транзисторы siemens |
Назначение | Power, General Purpose |
to114 | Распиновка |
---|---|