Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 33W |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 80V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 5A |
Ft,max | 560MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 30/90 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | 2N5284 2N5339 KT817G |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | RF, Power |
to59 | Распиновка |
---|---|