Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 33W |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 80V |
Ueb,max | 5.5V |
Ic,max | 10A |
Ft,max | 70MHz |
Cctip,pF | 250 |
Hfe | 70/200 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | 2N5286 KT816G |
Изготовитель |
semicoaБиполярные транзисторы semicoaIGBT транзисторы semicoaFET транзисторы semicoa |
Назначение | High Speed Power Switching |
to59 | Распиновка |
---|---|