Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 2W |
Ucb,max | 1000V |
Uce,max | 1000V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 120MHz |
Cctip,pF | 30 |
Hfe | 30/180 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
siemensБиполярные транзисторы siemensIGBT транзисторы siemensFET транзисторы siemens |
Назначение | RF, Medium Power, High Voltage |
to5 | Распиновка |
---|---|