Биполярный транзистор - 2N506
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 100mW |
| Ucb,max | 40V |
| Uce,max | - |
| Ueb,max | 8V |
| Ic,max | 100mA |
| Ft,max | 200KHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 40T |
| Tj,max | 80ºC |
| Аналоги | ASY27 2N406 GT115V |
| Изготовитель |
csrБиполярные транзисторы csrIGBT транзисторы csrFET транзисторы csr |
| Назначение | Low Power, General Purpose |
| to22 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |