Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 60mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | 1.5 |
Hfe | 10MIN |
Tj,max | 100ºC |
Аналоги | 2N2398 AF239S GT321V |
Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
Назначение | RF, Medium Power General Purpose |
to33-1 | Распиновка |
---|---|