Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 2W |
Ucb,max | 700V |
Uce,max | 500V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 15MHz |
Cctip,pF | 50 |
Hfe | 15/250 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | 2N5012 |
Изготовитель |
siemensБиполярные транзисторы siemensIGBT транзисторы siemensFET транзисторы siemens |
Назначение | RF, Medium Power, High Voltage |
to5 | Распиновка |
---|---|