Биполярный транзистор - 2N5112
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 34W |
| Ucb,max | 40V |
| Uce,max | 40V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 1A |
| Ft,max | 1MHz |
| Cctip,pF | 500 |
| Hfe | 15/60 |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | BLX49 2N3201 KT816V |
| Изготовитель |
siemensБиполярные транзисторы siemensIGBT транзисторы siemensFET транзисторы siemens |
| Назначение | Medium Power, General Purpose |
| to59 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |