Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 80W |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 10A |
Ft,max | 3MHz |
Cctip,pF | |
Hfe | 20/100 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
to218 | Распиновка |
---|---|