Биполярный транзистор - 2N5132
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 200mW |
| Ucb,max | 20V |
| Uce,max | 20V |
| Ueb,max | 3V |
| Ic,max | 30mA |
| Ft,max | 200MHz |
| Cctip,pF | 3.5 |
| Hfe | 30/500 |
| Tj,max | 125ºC |
| Аналоги | BF173 2N918 KT339AM |
| Изготовитель |
nscБиполярные транзисторы nscIGBT транзисторы nscFET транзисторы nsc |
| Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
| to106 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |