Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 100W |
Ucb,max | 800V |
Uce,max | 850V |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 4A |
Ft,max | 12MHz |
Cctip,pF | 110 |
Hfe | 20/60 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
power inБиполярные транзисторы power inIGBT транзисторы power inFET транзисторы power in |
Назначение | Power, High Voltage, General Purpose |
to218 | Распиновка |
---|---|