Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 350W |
Ucb,max | 1000V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 50A |
Ft,max | - |
Cctip,pF | - |
Hfe | 100MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
lteБиполярные транзисторы lteIGBT транзисторы lteFET транзисторы lte |
Назначение | Power, Switching |
to66 | Распиновка |
---|---|