Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 1W |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 12V |
Ic,max | 10A |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 2KMIN |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
unitrodeБиполярные транзисторы unitrodeIGBT транзисторы unitrodeFET транзисторы unitrode |
Назначение | Darlington, Power |
to33 | Распиновка |
---|---|