Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 625W |
Ucb,max | 65V |
Uce,max | 65V |
Ueb,max | 3.5V |
Ic,max | 18.8A |
Ft,max | 1GHz |
Cctip,pF | |
Hfe | 15/120 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
asiБиполярные транзисторы asiIGBT транзисторы asiFET транзисторы asi |
Назначение | RF, Power |
so36 | Распиновка |
---|---|