Биполярный транзистор - GT109J
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 30mW |
| Ucb,max | 10V |
| Uce,max | 6V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 20mA |
| Ft,max | 1MHz |
| Cctip,pF | 30 |
| Hfe | 100MIN |
| Tj,max | 80ºC |
| Аналоги | AC125 2N404 2N175 |
| Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
| Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
| Распиновка | |
|---|---|
 |
 |