Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 30mW |
Ucb,max | 10V |
Uce,max | 6V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 30mA |
Ft,max | 1MHz |
Cctip,pF | 30 |
Hfe | 60/130 |
Tj,max | 80ºC |
Аналоги | AC125 2N404 2N105 2N77 2SB97 OC58 OC59 OC60 2N30 2N31 2N32 2N32A 2N70 2N72 2N680 |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power, General Purpose |
Распиновка | |
---|---|