Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 150mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 20mA |
Ft,max | 2MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 30/60 |
Tj,max | 90ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power, General Purpose |
Распиновка | |
---|---|