Биполярный транзистор - GT125E
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 150mW |
| Ucb,max | 35V |
| Uce,max | - |
| Ueb,max | 20V |
| Ic,max | 300mA |
| Ft,max | 1MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 45/90 |
| Tj,max | 90ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
| Назначение | Medium Power, General Purpose |
| Распиновка | |
|---|---|
 |
 |