Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 75mW |
Ucb,max | 15V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 40mA |
Ft,max | 140MHz |
Cctip,pF | 7 |
Hfe | 25/80 |
Tj,max | 80ºC |
Аналоги | AF1W 2N838 2N499 2N499A 2N501 2N501A 2N501-18 2N979 2N980 2N1499 2N1499A 2N1754 2N2199 T1251 T1312 T1510 T1789 T1961 T1973 T2119 |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power High Frequency |
Распиновка | |
---|---|