Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 75mW |
Ucb,max | 15V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 40mA |
Ft,max | 160MHz |
Cctip,pF | 7 |
Hfe | 60/180 |
Tj,max | 80ºC |
Аналоги | AF106 2N838 2N1499B 2N1745 2N2200 2N2273 AF110 AF111 AF112 AF113 AF122 AF122BL AF122Y AF134 AF135 AF136 AF137 AF138 AF182 AF185 AF186 AF186GN AF186W AF193 AF195 AF196 AF197 AF257 AF282 AF282V AF282VI AF282VII AF282VIII AF284 AF284III AF284IV AF284V AF284VI AF284VII AF284VIII AF306 AFY29 T1858 |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power High Frequency |
Распиновка | |
---|---|