Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 75mW |
Ucb,max | 15V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 40mA |
Ft,max | 160MHz |
Cctip,pF | 5 |
Hfe | 40/120 |
Tj,max | 80ºC |
Аналоги | AF106 2N838 2N1499B 2N1745 2N2200 2N2273 2SA279 2N1748 2N1748A 2SA246 2SA251 2SA252 AFY13 T1737 T2019 |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power High Frequency |
Распиновка | |
---|---|