Биполярный транзистор - GT309E
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 75mW |
| Ucb,max | - |
| Uce,max | 10V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 10mA |
| Ft,max | 80MHz |
| Cctip,pF | 7.5 |
| Hfe | 60/180 |
| Tj,max | 70ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
| Назначение | Low Power High Frequency |
| Распиновка | |
|---|---|
 |
 |