Биполярный транзистор - GT309V

Параметр Значение/Ед.Измерения
Материал Germanium
Полярность pnp
Pc,max 50mW
Ucb,max -
Uce,max 10V
Ueb,max -
Ic,max 10mA
Ft,max 120MHz
Cctip,pF 7.5
Hfe 20/70
Tj,max 70ºC
Аналоги 2N705 2SA234 2SA235 2SA343 AF178 AFZ11 GF128
Изготовитель

russia

Биполярные транзисторы russia

IGBT транзисторы russia

FET транзисторы russia
Назначение Low Power High Frequency
Распиновка