Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | npn |
Pc,max | 35W |
Ucb,max | 33V |
Uce,max | 32V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 10A |
Ft,max | 30MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 20/50 |
Tj,max | 85ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power High Frequency |
Распиновка | |
---|---|