Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 150mW |
Ucb,max | 12V |
Uce,max | 12V |
Ueb,max | 2V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 300MHz |
Cctip,pF | 2.5 |
Hfe | 30/180 |
Tj,max | 70ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power High Frequency |
Распиновка | |
---|---|