Биполярный транзистор - GT311J
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 150mW |
| Ucb,max | 12V |
| Uce,max | 12V |
| Ueb,max | 2V |
| Ic,max | 50mA |
| Ft,max | 300MHz |
| Cctip,pF | 2.5 |
| Hfe | 50/200 |
| Tj,max | 70ºC |
| Аналоги | 2N1141 AF239 2N1585 |
| Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
| Назначение | Low Power High Frequency |
| Распиновка | |
|---|---|
 |
 |