Биполярный транзистор - GT311I
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 150mW |
| Ucb,max | 10V |
| Uce,max | 10V |
| Ueb,max | 1V |
| Ic,max | 50mA |
| Ft,max | 450MHz |
| Cctip,pF | 2.5 |
| Hfe | 100/300 |
| Tj,max | 70ºC |
| Аналоги | 2N1141 AF239 2N955 2N797 2N955A 2N2482 TA1882 TI896 TIX896 |
| Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
| Назначение | Low Power High Frequency |
| Распиновка | |
|---|---|
 |
 |