Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 11V |
Ueb,max | 3V |
Ic,max | 150mA |
Ft,max | 120MHz |
Cctip,pF | 8 |
Hfe | 50/120 |
Tj,max | 70ºC |
Аналоги | 2N2786 2G319 2G320 2G321 2N711 2N711A 2N3883 |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power High Frequency |
Распиновка | |
---|---|