Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 160mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 50V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 60MHz |
Cctip,pF | 80 |
Hfe | 20/60 |
Tj,max | 85ºC |
Аналоги | 2G322 2G323 2G324 2G383 2G384 2G385 2G386 2G387 2G403 2G413 2G605 2G1025 2N18 2N19 2N21 2N21A 2N22 2N23 2N24 2N25 2N26 2SA228 |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power High Frequency |
Распиновка | |
---|---|