Биполярный транзистор - GT321B
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 160mW |
| Ucb,max | 60V |
| Uce,max | 50V |
| Ueb,max | 4V |
| Ic,max | 500mA |
| Ft,max | 60MHz |
| Cctip,pF | 80 |
| Hfe | 40/120 |
| Tj,max | 85ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
| Назначение | Low Power High Frequency |
| Распиновка | |
|---|---|
 |
 |