Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 50mW |
Ucb,max | 15V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 5mA |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | 1.8 |
Hfe | 20/120 |
Tj,max | 80ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power High Frequency |
Распиновка | |
---|---|