Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 250mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 10V |
Ueb,max | 2V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | 30 |
Hfe | 80/200 |
Tj,max | 80ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power High Frequency |
Распиновка | |
---|---|