Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 50mW |
Ucb,max | 15V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 400MHz |
Cctip,pF | 1.5 |
Hfe | 20/200 |
Tj,max | 80ºC |
Аналоги | AF239 2N700A 2N409 2N410 2N411 2N412 2N1699 2N3127 2N3279 2N3280 2N3283 AF109 AF109R AF200 AF200U AF201 AF201U AF202 AF202L AF202S AF253 MM1152 |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power High Frequency |
Распиновка | |
---|---|