Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 50mW |
Ucb,max | 15V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 300MHz |
Cctip,pF | 1.5 |
Hfe | 40/200 |
Tj,max | 80ºC |
Аналоги | AF239 2N700A 2N695 2N725 2N779 2N779A 2N779B 2N781 2N782 2N1141 2N1141A 2N1142 2N1142A 2N1143 2N1143A 2N1195 2N1285 2N2512 2N2588 2N2654 2N2873 2N3281 2N3284 2N3285 2N3286 AF106 AF106N AF256 AFY12 MM1153 SYL2300 SYL2301 T1937 T2186 T2329 T3000 TA2359A |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power High Frequency |
Распиновка | |
---|---|