Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | npn |
Pc,max | 50mW |
Ucb,max | 13V |
Uce,max | 13V |
Ueb,max | 1V |
Ic,max | 20mA |
Ft,max | 500MHz |
Cctip,pF | 3 |
Hfe | 30/400 |
Tj,max | 80ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power High Frequency |
Распиновка | |
---|---|