Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | npn |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 19V |
Ueb,max | 3V |
Ic,max | 20mA |
Ft,max | 300MHz |
Cctip,pF | 8.5 |
Hfe | 40/70 |
Tj,max | 80ºC |
Аналоги | 2G414 2G415 2N559 2SA229 2SA230 2SA253 |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power High Frequency |
Распиновка | |
---|---|