Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | npn |
Pc,max | 25mW |
Ucb,max | 5V |
Uce,max | 5V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 2.4GHz |
Cctip,pF | 1 |
Hfe | 15/250 |
Tj,max | 90ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Low Power High Frequency |
Распиновка | |
---|---|