Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 4W |
Ucb,max | 45V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | 20V |
Ic,max | 1.2A |
Ft,max | 1MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 30/60 |
Tj,max | 85ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
russiaБиполярные транзисторы russiaIGBT транзисторы russiaFET транзисторы russia |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
Распиновка | |
---|---|